SK하이닉스가 인공지능(AI) 산업의 핵심 요소인 첨단 고대역폭 메모리(HBM)를 미국에서 연간 수십만장씩 생산할 예정이다.지금까지 미국에서 생산된 적 없는 HBM이 한국 기업에 의해 최초로 만들어지는 것이다.
SK하이닉스는 27일(현지시간) 미 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장(팹) 기공식을 열었다.
SK하이닉스가 미국에서 건설하는 첫 생산기지로,롤문철 도박오는 2028년 10월 클린룸(패키징이 이뤄지는 공간)을 완공해 이듬해 하반기부터 HBM 양산을 목표로 한다.이로써 엔비디아를 비롯한 미 빅테크들이 SK하이닉스의‘메이드 인(Made in) USA’HBM을 사용하게 된다.
기공식에 참석한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹의 HBM 생산 능력이 연간 수십만장이 될 것이라고 밝혔다.매년 이 공장에서 D램(RAM) 웨이퍼 수십만장을 토대로 후공정을 통해 HBM을 만들겠다는 의미다.현재 업계에 알려진 SK하이닉스의 D램 생산량은 연 600만장 규모로,롤문철 도박이 중 일부가 HBM에 쓰인다.
곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미국 최초의 HBM 생산 거점을 구축하는 것”이라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했다.
AI 기술 패권을 유지하려는 미국이 자국에서 만들어진 HBM을 사용해 AI 가속기를 개발한다는 점에서‘미국산’을 강조하는 도널드 트럼프 행정부의 정책 기조에 부합하는 발언으로 보인다.
SK하이닉스는 인디애나 팹 건설에 40억달러(약 5조5280억원)를 투자한다.미국 정부는 반도체법(Chips Act·칩스법)에 따라 최대 4억5000만달러의 보조금,롤문철 도박5억달러의 대출을 제공한다.
인디애나 팹은 한국에서 생산된 D램 칩들을 묶거나 쌓아 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정)과 차세대 HBM 연구·개발(R&D)을 병행한다.
SK하이닉스는 차세대인 7세대(HBM4E) HBM 개발과 테스트를 위해 엔지니어링 분야에서 실력을 인정받는 미 퍼듀대학교와 합작하는 R&D 강화 양해각서(MOU)를 맺었다.이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치하겠다는 계획이다.
팹이 본격 가동되면 약 1000명 규모의 인력이 일하게 될 예정이다.팹 건설·운영 인력과 100여개 협력 소재·부품·장비 공급망을 고려하면 약 7000명의 직·간접 일자리 창출이 기대된다고 곽 사장은 설명했다.
“Finding NoiseAware was a miracle for us. We now have peace of mind that our neighbors have a peaceful neighborhood.”
"Every single unit that we have has NoiseAware. Every single unit that we go into will have NoiseAware. It's our first line of defense."
"We let neighbors know we're using NoiseAware to prevent parties. We want to show them that having great neighborly relationships is a priority for us, and for the whole short-term-rental community."
"I can tell my owners, 'Not only do we have insurance, but we also have guest screening and we have NoiseAware. We have multiple layers of protection for your property."
