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FMS 2026서 새 메모리반도체 공개
GPU 위에 바로 D램 쌓는 3D D램
SRAM보다 대용량,토토 사이트 가상 계좌 신고HBM보다 고속
낸드플래시 쌓은 HBF도 공개
샌디스크와 함께 HBF 생태계 구축
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 뛰어넘을 메모리 반도체의 미래로 3차원(3D) 적층 D램과 고대역폭 플래시(HBF)를 내놨다.
김천성 SK하이닉스는 솔루션개발 부문장은 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린‘퓨처오브메모리스토리지(FMS) 2026’행사에서 “에이전틱 AI 시대에는 토큰 처리량이 전례 없는 속도로 증가하고 있지만 D램 대역폭은 연산 성능의 발전 속도를 따라가지 못하고 있다”며 “AI 인프라가 메모리 중심 시대로 진입하고 있다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 메모리 계층이 △S램 △HBM △D램 △로컬 솔리드스테이트드라이브(SSD) △CXL 풀드메모리 △스토리지 서버 6개로 나뉜다고 봤다.S램은 그래픽처리장치(GPU) 안에 들어가는 메모리 칩이다.S램처럼 연산장치에 가까울수록 속도와 대역폭이 높지만 용량은 작고,멀어질수록 속도는 느려지는 대신 대용량 데이터를 저장할 수 있다.
SK하이닉스는 이날 발표를 통해 두 개 계층을 추가했다.△3D 적층 D램과 △HBF(고대역폭플래시)다.각각 S램과 HBM,토토 사이트 가상 계좌 신고HBM과 D램 사이에서 빈틈을 메우는 역할을 한다.
3D 적층 D램은 AI 가속기(GPU,NPU 등) 바로 위에 D램을 수직으로 쌓는 기술이다.SRAM보다 큰 용량을 제공하면서도 HBM보다 연산장치 가까이에 배치해 초고속으로 데이터를 공급할 수 있다.SK하이닉스는 이를 통해 SRAM의 용량 한계와 메모리 핀 수 증가 문제를 해결하고,데이터 이동에 소비되는 전력도 줄일 수 있다고 설명했다.
HBF는 HBM과 비슷한 형태지만 D램 대신 낸드(NAND) 플래시를 쌓아 만든다.NAND를 사용해 HBM보다 훨씬 큰 용량을 확보하면서도 초당 테라바이트급 대역폭과 마이크로초 단위의 지연시간을 제공하는 것이 목표다.
HBF는 모델 가중치와 사전 계산된 키·밸류(KV) 캐시,검색증강생성(RAG) 데이터처럼 한 번 저장한 뒤 반복해서 읽는 데이터에 특화됐다.SK하이닉스는 HBF가 HBM을 대체하기보다는 HBM의 부족한 용량을 보완해 전체 가속기 시스템의 효율을 높일 것으로 보고 있다.
SK하이닉스는 HBF를 활용하면 모델 가중치와 KV 캐시를 대용량 낸드 영역에 저장하고,가속기가 필요로 하기 직전에 데이터를 미리 불러오는 방식으로 이 문제를 해결할 수 있다고 설명했다.
SK하이닉스는 메모리칩 시장을 장악하기 위한 방안으로 '생태계'를 선택했다.이날 샌디스크와 함께 HBF 규격을 공개했다.새 규격은 칩 간 연결 표준인 UCIe를 기반으로 인터페이스를 표준화해 서로 다른 업체의 AI 칩과 HBF가 연동될 수 있도록 설계됐다.양사는 규격을 오픈컴퓨트프로젝트(OCP)를 통해 공개하고 참여 기업을 확대해 상용 생태계 구축에 나설 계획이다.
실리콘밸리=김인엽 특파원
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